LEAP 6000 XRは前機種LEAP5000XRで実績のある局所電極等の主要な機能に加え、レーザモード時に用いるUVレーザを短波長化(深紫外線)することにより、測定の歩留まりとデータの質の向上を実現しました。またマイクロチップとの互換性を維持しながらイオン光学系の再設計を行うことにより、LEAP 6000 XRはより使いやすい装置になると同時に、完全自動分析が可能となりました。

3次元アトムプローブ分析の限界を超えるためにInvizo 6000は以下の新規技術を導入しています:
- 取り込み角を拡大したTOFアナライザのフライトチューブ
- 独自開発のデュアルビーム深紫外レーザパルスシステム
これらの新技術導入により、試料からより多くの元素情報が得られるようになると同時に、従来の装置では再構成時に生じていた元素の3次元分布の歪みが軽減されました。その結果、測定によって得られるデータセットにはより多くの情報が含まれるようになりました。
Invizo 6000は多様な用途に対応、高度な研究に理想的な選択肢となります。

高倍率、広視野、高速測定が可能な3次元イメージング質量分析装置です。 金属材料などの導電性材料や半導体・絶縁物の元素を高い分解能と検出性能により３次元マッピングし、 EDXやSIMS、TEMなどでは限定的な３次元での構造解析を可能とします。

高速・高性能3次元イメージング質量分析装置です。 EDXやSIMS、TEMでは限定的な３次元での構造解析を可能とします。 ほぼ原子分解能で試料中の元素分布を定量的に捉えることができます。 EIKOSシリーズには、半導体や絶縁物の測定にも対応する紫外光(355nm) レーザパルスモード搭載型EIKOS-UVと金属材料などの導電性材料の分析に特化した電圧パルス型EIKOSがあります。